서강대학교 전자공학과

전영준 석박통합과정(지도교수 홍성완), 

반도체 설계 올림픽 ‘ISSCC 2025’ 논문 채택

▲(왼쪽부터) 전영준 석박통합과정, 홍성완 전자공학과 교수

전자공학과 전영준 석박사통합과정(지도교수 홍성완)이 세계 최고 권위의 반도체 학회 ‘국제고체회로학회(International Solid-State Circuits Conference, 이하 ISSCC) 2025’에서 논문이 채택되었다.

ISSCC는 1954년 처음 개최된 회로 분야 최고 국제학술대회로, 반도체 회로 분야 학회 중 가장 높은 권위와 큰 규모를 자랑하며 이른바 ‘반도체 설계 올림픽’으로 불린다.

해당 논문의 제목은 “A Sub-1V, 50mV Dropout LDO using Pseudo-Impedance Buffer with Phase-Margin Improvement Design”이다.

전영준 석박사통합과정생은 반도체 공정 기술의 발전에 맞춰 낮은 입력 전압 조건에서 동작하는 Analog Low Dropout Regulator(ALDO)를 설계하였다. 본 논문은 Rail-to-Rail Pseudo Impedance(RRPB) 구조를 제시하여, 1V 이하의 입력 전압에서 최대 300mA 로드 전류를 제공하면서도 50mV의 낮은 dropout voltage를 갖는 높은 효율을 갖는 LDO를 설계하였다.

이번 연구 성과는 기존 낮은 입력 전압에서 동작하는 Digital Low Dropout Regulator(DLDO)의 스위칭 노이즈 문제를 해결한 구조로, 고정밀 저잡음 전원이 필요한 시스템에서 효과적으로 적용될 수 있을 것으로 기대된다.