(신규)삼성전자반도체트랙
서강대-삼성전자 반도체 석사 Track 프로그램 개요 (SSES: Sogang-Samsung Education for Semiconductor)
- 모집 시기2027 상반기 석사 트랙
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운영 목적
삼성전자 Device Solutions(DS) 부문의 반도체 전문 기술인력 양성을 목적으로, 전자공학과·반도체공학과·컴퓨터공학과·화공생명공학과·기계공학과·물리학과·화학과 제1전공 대상으로 반도체 분야(설계, 공정/소자, 소프트웨어) 우수 인력을 육성하여 삼성전자 DS 부문 입사로 연계
5기 트랙 주요 변경사항
- 기존 학·석사 과정 선발 → 석사 과정 선발 중심으로 변경
- 지원 시점: 석사 2학기 → 석사 1학기로 조기화 (세부 변경사항은 2학기 중 홈페이지 업데이트 예정)
- 본교 우수 학부생 대상 Pre-Track 예비선발 제도 신설
선발 구조
학부 우수학생 조기발굴(Pre-Track)+석사 재학생 일반지원의 이원화 운영
A. 예비선발 (교내 Pre-Track): 석사 진학 예정 우수 학부생 조기 발굴
(Pre-Track) 육성
(교내 서류 전형 면제) → 대학원 입시 시점 지원
(10월 경/4월 경) → 석사 진학 후
GSAT·서류·면접 → 삼성 최종선발 → 졸업 후 삼성전자
DS부문 입사
* 교내 Pre-Track 예비선발자는 교내 서류 전형 면제, 석사 진학 후 삼성전자 최종선발 절차를 별도로 통과해야 함(입사 보장 아님)
B. 일반선발: 석사 재학생 일반지원 경로
재학생 일반지원 → 교내 서류 전형
(서류 검토 및 적격 여부, 3월경/9월경) → 회사 전형
* 석사 재학생은 교내 서류 전형 통과 후 삼성전자 최종선발 지원
운영 원칙
- 예비선발≠최종합격: 교내 육성 대상 선발이며, 회사 최종합격은 별도로 진행됩니다
- 사전 육성 혜택: 연구실 연구참여·채용준비 조기 지원+교내 서류 전형 면제
- 최종선발 공정성: 예비선발자·재학생 모두 동일 기준(GSAT·서류·면접)으로 평가하며, 합격 시 예비선발+일반선발 혜택을 모두 수혜
A. 예비선발(교내 Pre-Track) 상세 안내
석사 진학 예정자 대상으로 장학생을 예비 선발합니다.
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 대상 및 자격 요건 |
① 대상: 전자/반도체/컴퓨터/화공생명/기계/물리/화학과 학사과정 4학년 재학생 중 석사 진학 예정자 (본교 학부 재학생에 한함, 타교생은 일반선발로 지원) ② 학점: CGPA 3.0/4.3 이상 및 트랙 필수+선택과목 3.0/4.3 이상 (동시 충족) ③ 군미필자 지원 불가 ④ 학사 주요과목 학점 이수 필수 (학부 이수기준 별첨 참고) ⑤ 졸업 전 트랙 지정과목 이수 필수 (석사 커리큘럼 이수기준 참고) |
| 양성/처우 (석사 1학기~) |
• 연구지원금 지급 • 세미나 및 교육 참석 제공 ※ 등록금·학비보조금은 일반선발 최종 합격 후 추가 지급(위 혜택은 합격 후에도 계속 유지) |
| 주요 혜택 |
• 석사 과정 기간(1~3학기) 교내 서류 전형 면제(이후 절차는 일반지원자와 동일한 회사 전형 진행) • 최종선발(서류 및 면접 등) 준비에 필요한 다양한 혜택 제공 • 최종 합격 시 일반선발 혜택 전부 추가 수혜(기존 혜택 유지) • 반도체 세미나·워크숍 참석 지원 |
| 운영 원칙 |
• 교내 Pre-Track으로 운영하며, 삼성전자 최종합격을 보장하지 않음 • 타 트랙과 동시 지원 불가 • 대학원 입시 합격 후 예비선발 최종 확정(입시 전형과는 별개로 운영) |
B. 일반선발 및 최종선발 상세 안내
예비선발된 장학생과 석사 1~3학기 재학생을 대상으로 최종 선발합니다. 예비선발자는 기존 혜택을 유지한 채 아래 혜택을 추가로 수혜합니다.
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 자격 요건 |
① 학과·학기: 전자/반도체/컴퓨터/화공생명/기계공학/물리학/화학과 소속 석사 1~3학기 재학생 (교내 Pre-Track 장학생은 교내 서류 전형 면제) ② 학점: CGPA 3.0/4.3 이상 및 트랙 필수+선택과목 3.0/4.3 이상 (동시 충족) ③ 어학: OPIc IL 이상 또는 토익스피킹 110~120점 이상 (최종면접 전까지 제출) ④ 군미필자 지원 불가 ⑤ 학사 주요과목 학점 이수 필수 (학부 이수기준 별첨 참고) ⑥ 졸업 전 트랙 지정과목 이수 필수 (석사 커리큘럼 이수기준 참고) |
| 양성 / 처우 (최종 합격 후) |
• 등록금 실비 및 학비보조금 지급(교내 장학금 중복 수혜 가능) • 우수학생 학비보조금(별도 선발 후 추가 지원) • 연구지원금 지급(정규학기) • 국제 학회지원금 및 논문 게재 지원 • Samsung Value Camp 참석 • 세미나 및 교육 참석 제공 |
| 기타 의무 사항 |
• 인턴실습 1회 6주 수료 필수 • 입사 후 수혜기간의 2배에 해당하는 기간 의무 근무(만료 전 퇴직 시 수혜금액 변제) • 박사 연계진학 : 신청 후 회사에서 최종 결정 |
* 장학금 지급 : 등록금 납부고지서 제출 → 고지서 수업료 기준 개인계좌 지급, 학비보조금은 석사 재학 정규학기에 한하여 지급
예비선발/일반선발 핵심 비교
두 선발 경로의 주요 차이점입니다. 예비선발자가 최종 합격하면 양쪽 혜택을 모두 수혜합니다.
| 구분 | 예비선발 (교내 Pre-Track) | 일반선발 |
|---|---|---|
| 대상 | 본교 관련 학과 학사과정 재학생 (대상 학과 석사 진학 예정자) |
대상 학과 석사 1~3학기 재학생 |
| 평가 기준 | 학업성취도·전공적합성·연구잠재력·지원동기 | 학업성취도·전공적합성·연구실적/잠재력·지원동기 |
| 등록금 지원 |
미지급 (예비선발 단계) ※ 최종 합격 후 우측 혜택 추가 지급 |
(최종 합격 후) 등록금 실비 + 학비보조금 |
| 주요 혜택 |
• 교내 서류 전형 면제 • 연구지원금·세미나 참석 등 지원 • 회사 서류 및 면접 전형 준비 지원 ※ 최종 합격 후 우측 혜택 추가 지급 |
• 등록금 및 학비보조금 • 연구지원금·국제학회·논문 게재 등 지원 • Samsung Value Camp·인턴실습 |
| 지원 시점 | 학부 재학 중 (석사 진학 직전 학기 대학원 입시 시점) |
석사 1학기 이후 (예비 선발 후 잔여 T/O) |
| 최종 선발 |
교내 선발(예비/일반)
→
GSAT/SW검정
→
직무역량·면접
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| 합격 의미 |
교내 Pre-Track 육성 대상 선발 (입사 보장 아님) ※ 최종 합격 시 양쪽 혜택 모두 수혜 |
삼성전자 DS부문 최종 입사 확정 (의무 근무 포함) |
장학 혜택 및 처우 (최종 합격자)
최종 합격 후 제공되는 장학 혜택입니다. 예비선발자는 기존 예비선발 혜택을 유지한 상태에서 아래 혜택을 추가로 수혜합니다.
| 학비 지원 | 연구 지원 | 교육 지원 |
|---|---|---|
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• 석사 학기별 등록금 실비 지급 • 학비보조금 지급(정규학기) • 교내 장학금 중복 수혜 가능 • 우수학생 추가 학비보조금 |
• 연구지원금 지급 • 우수 연구 성과 지원 • 논문 게재 지원 • 최우수 국제학술대회 발표 지원 |
• Samsung Value Camp 참석(의무) • 반도체 관련 교육 참석 제공 • 인턴실습 1회 6주 수료(의무) • 반도체 워크숍/교육 지원 |
* 의무 근무 : 입사 후 수혜기간의 2배에 해당하는 기간 근무 필수/만료 전 퇴직 시 수혜금액 변제 필요
학부 이수기준
CGPA 3.0/4.3 이상 및 트랙 필수+선택과목 3.0/4.3 이상 동시 충족 / 필수 3과목 중 택 2+선택 중 택 2 (전 과목 3학점)
① 전자공학/반도체공학/컴퓨터공학
| 구분 | 전자공학과 | 반도체공학과 | 컴퓨터공학과 |
|---|---|---|---|
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필수 (3과목 중 택 2) |
EEE2120 물리전자공학Ⅰ EEE3131 전자회로Ⅰ EEE4185 디자인프로젝트(캡스톤) |
SCE2120 반도체전자공학Ⅰ SCE3131 전자회로Ⅰ SCE4186 반도체종합설계 |
CSE3015 디지털회로개론 CSE4100 시스템프로그래밍 CSE4010 컴퓨터아키텍쳐 |
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선택 (택 2) |
EEE3146 반도체공학 EEE3202 반도체공정 EEE4202 반도체소자제작 EEE3163 고급디지털회로설계 EEE3163 반도체집적회로해석 및 설계 EEE4167 마이크로프로세서개론 EEE3142 머신러닝개론 EEE4178 인공지능(딥러닝)개론 EEE4165 디지털영상처리개론 EEE3178 컴퓨터아키텍쳐 |
CE3146 반도체소자설계 SCE3202 반도체공정 SCE4202 반도체소자제작 SCE3163 고급디지털회로설계 SCE3163 반도체집적회로해석 및 설계 SCE4167 마이크로프로세서개론 SCE3142 머신러닝개론 SCE4178 인공지능(딥러닝)개론 SCE4165 디지털영상처리개론 SCE3178 컴퓨터아키텍쳐 |
CSE4070 운영체제 CSE4116 임베디드시스템소프트웨어 CSE4011 임베디드컴퓨터구조 CSE4104 해킹및정보보안 CSE4178 기초SoC설계 CSE4175 컴퓨터네트워크 CSE4110 데이터베이스시스템 CSE4120 기초컴파일러구성 |
② 화공생명공학/기계공학/물리학/화학
| 구분 | 화공생명공학과 | 기계공학과 | 물리학과 | 화학과 |
|---|---|---|---|---|
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필수 (3과목 중 택 2) |
CBEG015 반도체공정 CBEG011 전자재료공학 CBE3007 고분자공학 |
MEE3004 생산공정 MEE4021 창의적종합설계(캡스톤) MEEG104 반도체공학 |
PHY2007 전자물리학Ⅰ PHY4009 반도체물리학 PHY4001 고체물리학Ⅰ |
CHM2101 분석화학 CHM2102 기기분석 CHM2202 물리화학Ⅱ |
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선택 (택 2) |
CBE4019 기능성고분자화학 CBE4010 화공재료 CBE3006 공정제어 CBE2016 기초전산화학공학 CBE3002 공정열역학 CBE3008 고분자물성 CBE3301~04 연구프로젝트Ⅰ~Ⅳ 택1 |
MEE4014 MEMS설계제작 MEE3032 열전달 MEE4033 메카트로닉스 MEE1006 지능형기계설계생산입문 MEE1005 C프로그래밍기초 MEE2014 기계재료기초 MEE3024 마이크로나노기계공학 |
PHY4007 전산물리학Ⅰ PHY4008 전산물리학Ⅱ PHY4012 나노물리 PHY3501 물리캡스톤디자인Ⅰ PHY3502 물리캡스톤디자인Ⅱ PHY4002 고체물리학Ⅱ PHYG004 기계학습응용 PHY4003 현대광학Ⅰ |
CHM2501 고분자화학 CHM4053 화학인공지능기초 CHM2301 유기화학Ⅰ CHM2401 무기화학Ⅰ CHM2203 물리화학Ⅲ |
* 타과 및 타교생의 경우 대체 교과목으로 인정 가능하며, 세부 내용은 추후 별도 홈페이지에서 제공됩니다.
석사 커리큘럼 이수기준 (일반선발 최종 합격 후)
총 15학점 이수/선택필수 3과목: 본인 분야 택 2+타 분야 택 1 (9학점), 공통필수 2과목 (6학점), 평점 3.3/4.3 이상
| 소자/공정 분야 (22과목) | 회로 설계 분야 (9과목) | 시스템/AI 분야 (10과목) |
|---|---|---|
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EEE/SCE6523 고급지능형반도체소자이론 EEE/SCE6518 차세대지능형반도체기술특론 EEE/SCE6517 지능형반도체공정기술 EEE/SCE6525 융합반도체기술 EEE/SCE6530 두뇌모방지능형반도체기술 AIE5276 차세대디스플레이특론 CBE5015 반도체공정 CBE5011 전자재료공학 CBE6089 광전변환공학 CBE6044 고분자중합 MEE5104 반도체공학 MEE6513 나노공학개론 MEE6341 최적설계 MEEG052 고급열전달 MEE6516 나노바이오시스템설계및제어 PHY6008 고체물리학Ⅰ PHY5002 고전물리Ⅱ PHY6061 유전체물리학 PHY#### 고급반도체물리학 CHM5101 고급분석화학 CHM6403 나노화학 CHM5201 고급물리화학Ⅰ +신규 개설 및 추가 교과목 |
EEE/SCE6507 지능형아날로그집적회로해석및설계 EEE/SCE6543 아날로그집적회로해석및설계 EEE/SCE6561 스위치캐패시터회로설계기술 EEE/SCE6513 고주파회로설계 EEE/SCE5272 반도체메모리회로설계(캡스톤) EEE/SCE6447 초고주파능동회로Ⅰ EEE/SCE6448 초고주파능동회로Ⅱ EEE/SCE6452 마이크로웨이브회로 EEE/SCE6451 마이크로웨이브응용 +신규 개설 및 추가 교과목 |
EEE/SCE6433 디지털시스템디자인 EEE/SCE6487 디지털VLSI설계 EEE/SCE6470 최적화이론 EEE/SCE6427 고급디지털시스템설계 EEE/SCE6428 저전력인공지능경량화설계 CSE6231 고급컴퓨터구조 CSE6473 고급GPU프로그래밍 CSEG414 병렬분산컴퓨팅 CSE6301 인공지능시스템구조 CSE6460 생성형AI시스템특론 +신규 개설 및 추가 교과목 |
| 공통 필수(2과목) | ||
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EEE#### 차세대반도체특론(3) - 삼성전자 DS 임직원 출강 포함 강의 (개설 예정) 학과별 연구교과목(3) - 특수연구Ⅰ~Ⅳ, 연구Ⅰ~Ⅳ, 연구주제탐색, 연구설계, 연구진행Ⅰ·Ⅱ 등 |
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지원서 작성 및 기타 안내
지원서 작성 및 기타 안내
| 항목 | 작성 내용 |
|---|---|
| 장학생 지원 동기 | 삼성반도체트랙 장학생에 관심을 갖고 지원한 동기 작성 |
| 졸업 후 진로 및 희망 직군 계획 |
회사 홈페이지 및 반도체 관련 진로에 대한 내용 작성 참고 링크 |
| 기타 참고사항 | 삼성반도체트랙 장학생 선정에 도움이 될 기타 내용 기술-연구 및 프로젝트 경험 및 기타 본인의 장점 설명 |
기타 안내
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 졸업유예 (휴학) | 계약서 졸업예정일 초과 졸업유예 불인정, 부득이한 경우 트랙사무실·삼성DS 피플팀 사전 협의 |
| 상위학위 연계진학 | 박사 연계진학: 신청 후 회사에서 최종 결정 |
| 양성 중단 기준 | 성실도·노력도 현저 부족으로 신입사원 부적격 판단 시 / 사회적 물의·품위 손상 행위 시 |
| 의무 근무 | 입사 후 수혜기간의 2배 기간 근무 필요 / 만료 이전 퇴직 시 수혜 금액 변제 필요 |
프로그램 지원 일정 안내
지원서 접수 기간 (27년 상반기): 상세 일정은 추후 공지 예정
| 구분 | A. 예비 선발 | B. 일반 선발 |
|---|---|---|
| 서류 접수 | 2026년 10월 14일(수) ~ 10월 21일(수) (2027학년도 전기 일반 대학원 1차 지원 시기와 동일) |
2027년 3월 중 |
| 교내 전형 합격자 발표 |
2026년 11월 19일(목) (별도 면접 평가 없이 서류로만 진행) |
2027년 3월 중 |
| GSAT·서류·면접 | 2027년 3월 중 (변경 가능) | |
| 최종 합격자 발표 | 2027년 6월 중 (변경 가능) | |
* 위 일정은 내외부 상황에 따라 변경될 수 있으며, 추후 홈페이지에 상세 공지될 예정입니다.
Track프로그램 문의
| 학사 관련 문의 | sses@sogang.ac.kr |
|---|---|
| 입사 관련 문의 | ds.careers@samsung.com |